Уважаемые клиенты!
Поздравляем вас с предстоящими праздниками и С Днем Победы!
Сообщаем вам, график работы в праздничные дни:
4 мая (суббота) - рабочий день с 9:00 до 18:00 (г. Астана с 9:00 до 19:00).
7, 8, 9 мая - выходные дни.
Желаем вам, отличных выходных!
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
M3054M, N канальный MOSFET (BVDSS - 30V; RDSON - 4.2 mΩ; ID - 97A)
IXFP20N50P3 транзистор, MOSFET N - канал, 500V, 20A, TO-220
IRLS3036-7P MOSFET, N-канал, 60 V, 16 V, 300 A, D2PAK
AO4496 использует передовую траншейную технологию для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Это устройство подходит для использования в качестве преобразователя постоянного тока. AO4496 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).
IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V