Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
КТ3107Б (BC308A), Транзистор PNP 50В 0.1А 0.3Вт 250Мгц TO92 (КТ-26)
2SA1837, Транзистор PNP 230В 1А [TO220FP]
FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]
KSA940 Биполярный транзистор PNP, 150 В, -1.5 А, 25 Вт, TO-220
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
AO4600, Транзистор N-канал/P-канал, 30В, 6.9/5А, 2Вт, 0.027/0.049Ом [SO-8]
2SA1507S, 2SC3902S - Биполярные транзисторы с PNP и NPN переходами
FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.