10722
IRFZ48N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 18 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 60 В |
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 50 A |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
Крутизна характеристики, S | 27 S |
Пороговое напряжение на затворе, В | 4 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.