10210
Биполярный низкочастотный pnp транзистор
Будет доступен:
Структура транзистора | PNP |
Рассеиваемая мощность, Вт | 75 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 100 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 100 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 5 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 2500 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 4 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.