Фильтр

Максимальное напряжение кэ (Uce),В
Максимальный ток кэ при 25 гр. (Ic) С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе (Ucesat), В
Управляющее напряжение (Uge(th)),В

IGBT транзисторы

Скидки

на странице
Показ 1 - 12 из 24 товаров
  • 390 тг

    FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором

    390 тг
    В наличии
  • 1 355 тг

    FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 355 тг
    В наличии
  • 1 050 тг

    Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 050 тг
    В наличии
  • 1 090 тг

    FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 090 тг
    В наличии
  • 780 тг

    NGD8201A Транзистор, N-канал 400В 20А [DPAK-4]

    780 тг
    В наличии
  • 1 450 тг

    FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247

    1 450 тг
    В наличии
  • 390 тг

    IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V

    390 тг
    В наличии
  • 840 тг
    Новые

    FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]

    840 тг
    В наличии
  • 1 060 тг

    G30N60 - IGBT транзистор 30A, 600V, TO-247

    1 060 тг
    В наличии
  • 1 060 тг

    G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 060 тг
    В наличии
  • 790 тг

    H20R1203, Транзистор 1200V 40A 310W [TO247-3]

    790 тг
    В наличии
  • 1 355 тг

    RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 355 тг
    В наличии
Показ 1 - 12 из 24 товаров