Уважаемые клиенты!
Поздравляем вас с предстоящими праздниками и С Днем Победы!
Сообщаем вам, график работы в праздничные дни:
4 мая (суббота) - рабочий день с 9:00 до 18:00 (г. Астана с 9:00 до 19:00).
7, 8, 9 мая - выходные дни.
Желаем вам, отличных выходных!
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
Диод – электронный прибор с двумя...
STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.
МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.
BS170 является N-канальным полевым транзистором с режимом обогащения, который был изготовлен при помощи DMOS технологии высокой плотности элемента. Данный процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечивая надежную производительность.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Полевой транзистор FQP4N90C, N-канала в корпусе ТО-220, 900В, 4А,
SPP20N60C3, Транзистор, N-канал 600В 20А 0.19Ом [TO-220AB] НЕ ОРИГИНАЛ!